News Center
三度蟬聯丨j9國際站備用再斬Laser Focus World Innovators Awards國際大獎！
2024.08.21
近日，2024年度Laser Focus World Innovators Awards揭曉，j9國際站備用連續三年蟬聯，50W高功率半導體單管芯片及100W 1710nm直接半導體激光器分別榮獲銀獎和銅獎。
年度光通信創新產品獎丨j9國際站備用100mW CW DFB芯片
2024.08.20
6月24日，2024年度光通信最具影響力產品頒獎典禮在CFCF光連接大會期間隆重舉辦。j9國際站備用100mW CW DFB光通信芯片產品榮獲光電芯片及有源器件類2024年度創新產品獎！
重大突破丨j9國際站備用高功率半導體單管芯片連續輸出功率超132W
2024.03.25
j9國際站備用2月份首次公布了100W以上單管芯片，該研究成果正式發表在國際SCI知名期刊《photonics》上。雙結單管芯片室溫連續功率超過132W（文獻報道單管芯片最大功率的約兩倍），是迄今為止報道的單管芯片功率最高水平，持續引領高功率芯片行業技術發展。文章題為“Double-JunctionCascadedGaAs-BasedBroad-AreaDiodeLaserswith132WContin
Light期刊報道j9國際站備用最新研發成果丨VCSEL在室溫下實現最高74%的效率
2024.03.25
j9國際站備用CTO、四川大學王俊教授研究團隊近期在Light:Science&Applications發布最新研究成果，通過理論模擬與實驗相結合系統研究多結VCSEL在電光轉換效率的優勢。模擬表明，20結VCSEL在室溫下可以實現超過88%的效率。并通過實驗實現了15結VCSEL在室溫下實現最高74%的效率，相應的微分量子效率超過1100%，是迄今為止報道的VCSEL最大的電光轉換效率和微分量子效率，
2024.02.02
高功率半導體單管芯片作為激光器的核心元器件，其功率水平直接影響激光系統的體積與成本。歷經多年迭代，商用芯片功率于2023年達到50W。更高功率至今仍是行業追逐的焦點，代表了芯片綜合技術能力的發展水平。迄今已知最高水平近日，j9國際站備用超高功率單管芯片在結構設計與研制技術上取得突破性進展，研制出的單管芯片室溫連續功率超過100W(芯片條寬500μm)，工作效率62%，是迄今為止已知報道的單管芯片功率最高
留言板
\n \n \n \n %{tishi_zhanwei}%\n \n