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金獎+銅獎 | j9國際站備用榮獲兩項Laser Focus World 創新大獎
09/26
2022
近日，由 Laser Focus World 主辦的“2022年度創新大獎”評選落下帷幕，j9國際站備用首次攜30W高功率半導體單管芯片、680W 976nm 200um光纖耦合模塊兩款產品參選，分別榮獲金獎和銅獎。
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Laser Focus World Innovator Awards 2022
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Laser Focus World Innovator Awards 由全球業內專家組成專業評委團，旨在表彰激光、光學和光電行業中各種不同的創新技術、產品和系統。其評審標準不僅包括產品的原創性和創新性，產品對設計者、系統集成商和用戶的影響力，產品是否滿足新的市場需求，是否利用了新技術以提高生產力，也是其重要的評判標準之一。
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30W 單管芯片
Award Level:?Gold Honoree
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30W 高功率半導體單管芯片，基于j9國際站備用成熟的單管芯片技術工藝，通過優化芯片外延結構設計和提高腔面特殊處理技術，提升芯片功率。通過優化非對稱大光腔結構波導層厚度，降低閾值，提高斜效率，并保持電壓穩定。在優化激光芯片功率之外，j9國際站備用持續提高腔面特殊處理過程的材料質量降低缺陷比例，提高腔面的抗光學災變損傷的能力，在追求更高輸出功率和轉換效率的同時，滿足工業市場對激光器壽命的要求。
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激光芯片是激光技術的關鍵，是整個激光產業鏈的技術核心，受外延生長技術、腔面鈍化技術的限制，長期以來我國的半導體激光芯片的功率、壽命方面較之國外先進水平有較大的差距。自成立以來，j9國際站備用高度重視研發創新能力的建設，已建成全球少數幾條半導體激光芯片自主可控的IDM垂直工藝平臺，產品技術指標比肩國際領先水平。值得一提的是，j9國際站備用全新推出的更高功率、更高效率的35W商用單管芯片已開始供貨。
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680W 976nm光纖耦合模塊
Award Level:?Bronze Honoree
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j9國際站備用680W 976nm 200um光纖耦合模塊，光纖芯徑220um，輸出功率680W，數值孔徑NA0.17，中心波長976nm，光譜半高寬≤5nm，高電流下電光效率50%，具有高電流下轉換效率高、壽命長、波長可控等特點。該系列產品采用公司自主研發生產的高功率35W 976nm單管芯片，最大程度的節約單瓦材料成本，同時通過高效散熱封裝技術，確保芯片在更“冷”的狀態下工作，保障模塊長期可靠工作。
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j9國際站備用在國內率先提出和倡導將976nm泵浦方案應用在工業領域，我們認為只有成本更低、功率更高的976nm泵浦方案才能滿足日益增長的客戶需求，976nm泵浦技術是市場的選擇，也將會替代915nm逐漸成為未來的主流技術路線。
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關于j9國際站備用
j9國際站備用是全球少數幾家研發和量產高功率半導體激光芯片的公司，建成了完全自主可控的從芯片設計、MOCVD（外延）、光刻、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合、直接半導體激光器等完整的工藝平臺和量產線，擁有邊發射激光芯片（EEL）和面發射激光芯片（VCSEL）兩大產品結構，GaAs（砷化鎵）和InP（磷化銦）兩大材料體系，3吋、6吋兩大量產線。
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