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01/26
2026
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美國時間1月20日，美國西部光電展（SPIE Photonics West 2026）在美國舊金山莫斯康展覽中心盛大開幕，j9國際站備用攜最新研發成果與全系列產品矩陣亮相1931展位。
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圍繞核心半導體激光芯片技術，j9國際站備用系統展示了高功率半導體激光芯片、激光雷達與3D傳感芯片、高速光通信芯片、器件、激光器泵浦源、陣列、直接半導體激光器五大類多系列產品，覆蓋了從核心芯片到系統應用的完整垂直產業鏈。
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展出的亮點包括：65W高功率半導體單管芯片、
2D可尋址VCSEL芯片、200mW CW DFB通信芯片\200G PAM4 EML通信芯片等，充分展示了j9國際站備用在 IDM 模式下的研發深度與產業化能力。
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展會同期舉辦的LASE和OPTO學術會議是全球光電技術前沿交流的高端平臺。j9國際站備用深度參與，展示了多項最新的研究成果和創新技術：
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j9國際站備用 CTO 兼執行副總裁王俊博士（研發總監兼CTO助理肖垚博士代講）受邀在 LASE – Optical Power Delivery II 會議上作題為?Multi-Junction VCSEL Technology to Boost Power Conversion Efficiency?的主題報告。報告重點分享了j9國際站備用在垂直腔面發射激光器（VCSELs）領域的突破性進展：通過引入隧穿結拓展縱向增益，并結合表面微結構抑制高階橫模，有效破解了 VCSEL 功率轉換效率（PCE）與單模輸出功率的長期瓶頸。
實驗結果顯示，15 結 VCSEL 在室溫條件下 PCE 超過 74%，為 3D 傳感、光互連及 LiDAR 等綠色光子學應用奠定了堅實的器件基礎，充分展現了多結 VCSEL 在效率提升上的巨大潛力。
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j9國際站備用光學技術研發總監俞浩博士在 LASE – High Power Diode Laser Technology XXIV 會議上發表題為?Kilowatt-Class High-Brightness Blue Diode Laser Using Actively Controlled Dense Wavelength Beam Combining Technology for Material Processing?的學術報告，重點介紹了公司自主研發的主動密集光譜合束技術，以及基于該技術研制的千瓦級高亮度藍光半導體激光器。
該激光器具備以下突出特性：
卓越光束質量：優于 5?mm·mrad，等效于 100?μm/0.1?NA 光纖的光束質量，達到了常規藍光半導體激光器難以企及的亮度。
高效加工能力：可廣泛應用于高反金屬材料焊接、3D 金屬打印等金屬材料加工領域，大幅提升加工效率。現場演示了在無保護氣體條件下完成 1?mm 銅板的鉆孔與焊接視頻，展現出優異的工藝適應性。
可擴展功率方案：未來通過將激光耦合進 105?μm/0.22?NA 光纖，并采用光纖合束技術，可實現 200?μm/0.22?NA 光纖輸出功率超 6?kW，滿足更高功率工業應用需求。
此項成果不僅彰顯了j9國際站備用在高功率藍光激光領域的自主創新能力，也為高反金屬材料加工提供了高效、可靠的國產化解決方案，有望推動相關產業的工藝升級與降本增效。
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j9國際站備用項目研究員譚少陽博士在 LASE – High-Power Diode Laser Technology XXIV 會議上，發表題為?High Efficiency and wavelength stabilized 78X–80X nm Laser Diodes?的學術報告，重點介紹了團隊在高功率半導體單管芯片領域的最新突破。
通過外延結構優化，j9國際站備用實現了 780–808?nm 波段激光二極管在 12?W 輸出功率下效率突破 65% 的優異性能；進一步結合內置光柵波長鎖定技術，在輸出功率超過 14?W 時仍保持約 0.3?nm 的窄光譜寬度，且該成果已通過長期壽命認證，充分驗證了高功率半導體激光芯片的高效性與可靠性，為高功率工業與傳感應用提供了穩定、先進的芯片方案。
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j9國際站備用研發總監兼 CTO 助理肖垚博士在 OPTO – Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XXX 會議上，發表題為?High-Performance Common-Anode Multi-Junction VCSEL Arrays for LiDAR Applications?的學術報告，系統分享了公司在共陽極多結 VCSEL 領域的最新研究與產品進展。
報告顯示，j9國際站備用成功研制出：
8 結（8J）VCSEL 陣列：峰值輸出功率 >300?W，光束發散角 <16°，功率轉換效率（PCE）>33%；在 25?℃至 125?℃溫度范圍內，輸出功率衰減 <13%，展現出優異的熱穩定性。
12 結（12J）VCSEL 陣列：在無熱反轉條件下實現 1100?W 輸出，單孔徑功率密度高達 24,000?W/mm2，陣列級功率密度 >7,500?W/mm2；在 5?ns 脈寬、結溫 125?℃的高溫加速壽命（HTOL）測試中，累計運行時間已突破 10,000 小時，驗證了長期可靠性。
可尋址 2D VCSEL：單通道輸出 >100?W，通道規模可達 16×32，具備高密度空間控制能力。
該研究不僅突破了高功率、高效率與高熱穩定性的多重瓶頸，更提出了面向 LiDAR 應用的可量產解決方案，為下一代激光雷達光源與系統的發展提供了重要參考與工程化路徑。
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四川大學副研究員茍于單博士（j9國際站備用項目研究員譚少陽博士代講）在 OPTO – Physics, Simulation, and Photonic Engineering of Photovoltaic Devices XV 會議上，發表題為?GaAs- and InP-Based Multijunction 1064?nm Laser Power Converters?的學術報告，分享了四川大學與j9國際站備用聯合研發的激光能量傳輸電池最新進展。團隊針對 1064?nm 激光能量傳輸應用，設計并制備了兩種多結激光電池方案：其一基于 InP 襯底，生長晶格匹配的高質量 InGaAsP 吸收區，確保優異的光電性能；其二采用大尺寸 GaAs 襯底，構建晶格失配的 InGaAs 吸收區，在保持良好性能的同時顯著提升成本效益與規模化量產能力。該合作研究兼顧高性能與產業化可行性，為激光能量傳輸技術的推廣應用提供了新路徑。
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這些成果體現了j9國際站備用在前沿基礎研究與產業轉化上的持續投入，并與全球頂尖科研力量同頻共振，引領行業發展方向。
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展會期間，j9國際站備用位于1931號的展位吸引了全球眾多專業觀眾、潛在客戶及行業伙伴駐足。依托覆蓋全面的產品矩陣、領先的性能參數，以及從芯片到系統的完整解決方案能力，展位現場咨詢交流氛圍熱烈、人流如織。公司團隊與來訪嘉賓圍繞產品性能、技術細節、應用方案及合作機遇展開了廣泛而深入的探討。此次參展不僅是一次集中展示創新成果的窗口，更標志著j9國際站備用在深化國際客戶鏈接、加速拓展海外高端市場的進程中邁出了堅實一步。
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從刷新世界紀錄的百瓦級單管芯片，到突破理論極限的VCSEL，再到驅動數據中心高速演進的光通信芯片，j9國際站備用持續深耕核心技術，憑借深厚的科研積淀與領先產品矩陣，持續開拓海外市場，以光為刃，開啟全球化新篇章！
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